SK海力士突破NAND技术，推出321层4D NAND闪存

韩国半导体巨头SK海力士在NAND闪存技术领域取得了重大突破，其最新研发的4D NAND闪存层数比上一代产品增加了35%，达到了321层。这一技术进步不仅大幅提升了存储容量，还提高了数据的可靠性。

SK海力士12层HBM3E需求激增，加速生产扩张

SK海力士公司近期见证了其12层HBM3E产品需求的显著增长，这一趋势促使公司加快步伐，迅速扩充生产能力和提高产量以满足市场需求。 作为HBM产品的主要供应商，SK海力士在满足行业需求方面一直走在行

周期逆转警报 ！全球第二大存储芯片商预警：下半年需求或降温

摘要【周期逆转警报 ！全球第二大存储芯片商预警：下半年需求或降温】本周三，全球第二大存储芯片制造商SK海力士公布其第二季度财报。尽管随着出货量持续提高，公司在第二季度创下了单季度营收记录，但公司却对下