11月7日，韩国媒体《时事周刊 e》报道指出，三星电子的第一代和第二代3纳米工艺（SF3E-3GAE和SF3-3GAP）的生产良率分别达到了约60%和20%，未能满足包括高通和英伟达在内的主要潜在客户