台积电加速美国布局，2nm 工艺最快2028年可投产

11月29日，科技媒体TechNews发布了一篇报道，指出台积电向美国商务部提交的文件显示，其位于美国亚利桑那州的工厂预计最快将在2028年开始量产2纳米工艺的芯片。这一消息进一步证实了台积电在先进半

良率仅 60%、20%，三星3nm工艺良率挑战：调整高层管理或迫在眉睫

11月7日，韩国媒体《时事周刊 e》报道指出，三星电子的第一代和第二代3纳米工艺（SF3E-3GAE和SF3-3GAP）的生产良率分别达到了约60%和20%，未能满足包括高通和英伟达在内的主要潜在客户